9icnet为您提供由onsemi设计和生产的5LN01SP-AC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。5LN01SP-AC参考价格$0.08000。onsemi 5LN01SP-AC封装/规格：MOSFET N-CH 50V 100MA 3SPA。您可以下载5LN01SP-AC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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5LN01SP是MOSFET NCH 1.5V DRIVE系列，包括5LN01SP系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-92-3，以及Si技术，该设备也可用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有250 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为105 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.3V，Rds导通-漏极-漏极电阻为10欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为1.57nC，正向跨导Min为0.18S。
5LN01M-TL-H是MOSFET开关器件，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在50 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004395盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作5LN01M系列。此外，Rds漏极源极电阻为6欧姆，该器件提供150 mW Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为SOT-323-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为100mA，并且配置为单一。
5LN01S，带有SANYO制造的电路图。5LN01S在SOT-523封装中提供，是FET的一部分-单个。
