9icnet为您提供由onsemi设计和生产的5LN01S-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。5LN01S-TL-E参考价格$0.07000。onsemi 5LN01S-TL-E封装/规格：MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP。您可以下载5LN01S-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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5LN01SS-TL-E是MOSFET开关器件，包括5LN01SS系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-723-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该器件也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供150 mW Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为105 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为10 V，Id连续漏极电流为100 mA，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Rds漏极漏极-漏极电阻为7.8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为1.57nC，沟道模式为增强。
5LN01SS-TL-H是MOSFET NCH 1.5V DRIVE系列，包括50 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，该系列设计用于5LN01SS，以及7.8欧姆Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作150mW Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用SSFP-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为100 mA。
5LN01SS，带有ON制造的电路图。5LN01S可在SOT-523封装中获得，是FET的一部分-单个。
