分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.93A (Ta) 最大功耗: 1.15W(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥32.76688 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.76688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A (Ta), 92A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥36.72150 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.72150 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 20V SOT-723 | ¥32.39025 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.39025 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、94A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥79.84573 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.84573 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.67843 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.67843 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 800mW (Tc) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.22554 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.22554 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Ta),40A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、26W(Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥69.87950 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.87950 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Tc) 最大功耗: 780W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.78712 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.78712 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PG-LSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥73.06203 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥73.06203 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),55W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.94584 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.94584 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.9A(Ta)、62A(Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥49.51246 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.51246 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34.5A (Ta), 54A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.66011 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.66011 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 6.2W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.26563 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.26563 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 31A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-HSOF-8-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.53262 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.53262 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.3A (Ta), 164A (Tc) 最大功耗: 900mW (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥26.66836 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.66836 | 添加到BOM 立即询价 | ||
DIODE ARRAY SCHOTTKY | ¥48.99098 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.99098 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电压: 30伏 输出电压: 3.5伏 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: 至98-3 | ¥4.12845 | 6636 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.43783 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电压: 35伏 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: TO-206AA、TO-18-3金属罐 | ¥8.61905 | 234 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.19051 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电压: 40伏 输出电压: 11伏 栅极至阳极漏电电流 (Iv): 10 nA 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: 至226-3,至92-3(至226AA) | ¥11.22650 | 10304 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.13248 | 添加到BOM 立即询价 | ||
电压: 35伏 最大功耗: 300毫瓦 包装/外壳: TO-206AA、TO-18-3金属罐 | ¥42.00882 | 342 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥210.04410 | 添加到BOM 立即询价 |