场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 57000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: Micro8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.10117 | 425 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.10117 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 410毫安 供应商设备包装: DFN1010B-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.04202 | 4882 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18436 | 17840 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.18436 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A,9.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.50221 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.50221 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.92037 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.92037 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.28252 | 620 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.28252 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.39937 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.39937 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A、2.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.96717 | 23 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.96717 | 立即购买 加入购物车 | ||
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( | ¥9.19848 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.19848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: DFN2020-6L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 3974 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A, 2.1A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.52387 | 14840 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.52387 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: N和P通道互补 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A, 3.2A 供应商设备包装: PG-TSDSON-8-FL 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥35.05564 | 59 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.05564 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78.5A 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.89236 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V ( | ¥9.19848 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.19848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.73999 | 1264 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.73999 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 9951 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.18688 | 添加到BOM 立即询价 |