场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、25A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 171A(Tc) 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6,188.91319 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,188.91319 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 468010 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.67625 | 4590 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.67625 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门,4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A、30A 供应商设备包装: PG-TISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.78952 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.78952 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 660毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.98360 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.98360 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(相位支路) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 供应商设备包装: SP1F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥687.64093 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥687.64093 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥13.18208 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.18208 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(相位支路) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 495A (Tc) 供应商设备包装: SP6C 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6,496.44673 | 4 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,496.44673 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: PG-TDSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.19702 | 30000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.19702 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: 5-PTAB (5x3.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.58864 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.58864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 250A(Tc) 供应商设备包装: AG-62毫米 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3,289.72518 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,289.72518 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | ¥4.12845 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,812.39087 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A, 2.2A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.82207 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.82207 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.2V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.18688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.24290 | 5506 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.24290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.72429 | 138000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.45779 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.45779 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.21320 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥7.21320 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: PG-TDSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.05123 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.05123 | 添加到BOM 立即询价 |