场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 238A(Tc) 供应商设备包装: SP6-P 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6,070.92635 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,070.92635 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安 供应商设备包装: SSMini5-F2 工作温度: 125摄氏度(TJ) | ¥2.17287 | 6071 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.17287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.96479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)匹配对 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 8-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥52.36617 | 80 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.36617 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥15.42738 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.42738 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-6L 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 29024 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.18688 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.2A(Ta) 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.90877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.90877 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.92277 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.92277 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A、1.9A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 供应商设备包装: U-WLB1818-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.64946 | 5174 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.64946 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N-Channel, Matched Pair 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 10.6伏 供应商设备包装: 16-PDIP 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度(TJ) | ¥60.47822 | 63 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.47822 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 538A (Tc) 供应商设备包装: SP6C | ¥6,105.33013 | 2 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6,105.33013 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.80593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
200V N-CHANNEL MOSFET | ¥0.72429 | 558697 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19.8 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.34094 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.34094 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.99520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.99520 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.90877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.90877 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: TSOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.91117 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY1BM-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥519.60565 | 43 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥519.60565 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥6.44618 | 14521 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.44618 | 添加到BOM 立即询价 |