场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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N-CHANNEL MOSFET | ¥0.43457 | 10000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 8.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.45779 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.45779 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: Dual PQFN (5x4) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.59104 | 2134 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.63391 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(相位支路) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A(Tc) 供应商设备包装: SP1F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥918.32729 | 11 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥918.32729 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.34334 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.34334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门,4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A、32A 供应商设备包装: PG-TISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.79192 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.79192 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥0.50700 | 200000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.35936 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.45779 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.45779 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.40176 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.40176 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.80833 | 16911 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
70A, 60V, N-CHANNEL MOSFET | ¥276.53392 | 3480 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.27138 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.62145 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.62145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.02321 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.02321 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.34334 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.34334 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(相位支路) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 700V 漏源电流 (Id) @ 温度: 124A(Tc) 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1,234.33502 | 3 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,234.33502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 P-通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 供应商设备包装: 6-MLP (2x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.73350 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.73350 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 12V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A, 6.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.80833 | 10200 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥0.50700 | 136000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.35936 | 添加到BOM 立即询价 |