场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门,4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A、41A 供应商设备包装: PG-TISON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.41649 | 15 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.41649 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL, MOSFET | ¥55.77033 | 5960 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、18A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.15407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.15407 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: 8-MLP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.10965 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.10965 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.11205 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.11205 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.51861 | 343133 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY1BM-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥685.75777 | 63 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥685.75777 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安 (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL, MOSFET | ¥55.77033 | 900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.56984 | 1678 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.56984 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.54662 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.54662 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.87836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.87836 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta)、2.5A(Ta 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.29892 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 8.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.45779 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.45779 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A、12A 供应商设备包装: Power56 | ¥6.51861 | 2540 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥0.43457 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 510毫安, 340毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.47659 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.69148 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.69148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、84A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.29892 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.29892 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.89476 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 |