场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.83634 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.83634 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安 (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 113A(Tc) 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3,359.25702 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,359.25702 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A(Ta)、36A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.32934 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.32934 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥0.65186 | 310000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门,1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 36352 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 54.3A (Ta), 197A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.60265 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.60265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 供应商设备包装: 8-VSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.69148 | 735 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.69148 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.97880 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 8.5A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.27091 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.27091 | 添加到BOM 立即询价 | ||
9A, 28V, N-CHANNEL MOSFET | ¥7.24290 | 108679 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.11290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: U-DFN2020-6 (Type B) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.91117 | 添加到BOM 立即询价 | ||
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥4.05602 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 4 N通道 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 173A(Tc) 供应商设备包装: SP3F 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3,834.89826 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,834.89826 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 | ¥3.25931 | 9097 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 15-ZIP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥43.31254 | 63 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.31254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TA) | ¥13.97880 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.97880 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.92277 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.92277 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N CHANNEL AND P CHANNEL SILICON | ¥0.65186 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: TSOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.91117 | 添加到BOM 立即询价 |