场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Ta) 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.06763 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.06763 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.08164 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.08164 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A 供应商设备包装: SP4 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,152.77996 | 6 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,152.77996 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.34574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.34574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.46940 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.46939 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.25931 | 1799 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.63546 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥139.06368 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A、3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.63066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.63066 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PFET, 5.5A I(D), 55V, 0.15OHM, 1 | ¥1.01401 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 8-LSON (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.14006 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.14006 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双)公共源 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-DSBGA (1x1.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.41817 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 680A 供应商设备包装: Y3-Li 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2,616.06305 | 5 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,616.06305 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥0.86915 | 64000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 200伏 供应商设备包装: 8-DFN (4x4) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.87836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.87836 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.33173 | 758 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.33173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A 供应商设备包装: PG-TDSON-8-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.84795 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.84795 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.93678 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.93678 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30V, 25V 漏源电流 (Id) @ 温度: 750毫安, 410毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.66733 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.66733 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18398 | 350 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.18398 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL MOSFET | ¥0.86915 | 55000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 |