场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.25211 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.25211 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.55583 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.55583 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-10 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.57463 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.57463 | 添加到BOM 立即询价 | ||
OPTLMOS POWER-MOSFET | ¥1.08644 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥601.88499 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.73733 | 220 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.73733 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.69388 | 1058 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.69388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双降压斩波器) 场效应管特性: 超级结 漏源电压标 (Vdss): 600V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A 供应商设备包装: SP3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥850.53375 | 7 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥850.53375 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.04969 | 9205 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.04969 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、145A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.93198 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.93198 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.93483 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.93483 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: 8-LSON (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.99280 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.99280 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-TSST 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.76631 | 2107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.76631 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,1.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安(Ta) 供应商设备包装: US6 工作温度: 150摄氏度 | ¥2.44593 | 13 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.44593 | 立即购买 加入购物车 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5 | ¥4.92517 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,822.31364 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: TSMT6(SC-95) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.18421 | 80 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.18421 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tj) 供应商设备包装: AG-EASY1BM-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥997.63705 | 13 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥997.63705 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、111A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.00441 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.00441 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.13526 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.13526 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: 5-PTAB (3x2.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.79192 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.79192 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Ta)、1.3A(Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 |