分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.01401 | 47000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 2588 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,191.91883 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥84.52464 | 424 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.52464 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥5.07003 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NOW NEXPERIA ON5258 - RF MOSFET | ¥1.59344 | 696000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 2366 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 540W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥84.74193 | 277 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥84.74193 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET | ¥2.60744 | 60000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Ta) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 2824 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.59344 | 221382 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥1.01401 | 107500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、42A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.74750 | 4263 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.11035 | 50 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.11035 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 1999 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.60744 | 34925 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥87.13209 | 222 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.13209 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 2338 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL MOSFET | ¥1.01401 | 96000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.73999 | 26 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.73999 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.92783 | 990 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.92783 | 立即购买 加入购物车 |