分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 7111 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 950伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥59.24692 | 598 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.24692 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 530mW (Ta), 8.33W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.52101 | 55557 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.81599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 4078 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 312W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥61.20251 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.20251 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Ta) 最大功耗: 80W (Ta) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.52101 | 9725 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.81599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 (Ta) 最大功耗: 223mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-523 Flat Leads 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.11445 | 7806 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.11445 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 4054 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 3256 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 460W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥61.99922 | 266 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.99922 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、18A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、41W(Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 4037 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、65W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.52101 | 2400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.81599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 2877 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CHANNEL 30V 75A | ¥5.07003 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 800mW 供应商设备包装: TUMT3 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.49060 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.49060 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥0.94158 | 2615 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,462.22386 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、70W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 2849 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥78.36818 | 450 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.36818 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 3291 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥1.59344 | 963000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 |