分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 125W(Ta) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 55600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 3英里/小时 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 30000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥53.59746 | 988 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.59746 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247 (IXTH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥86.55266 | 899 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.55266 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.44858 | 2775 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 42400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: 4-ECSP1008 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 20000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24.3A(Tc) 最大功耗: 240W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥29.75311 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥29.75311 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥90.75354 | 329 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.75354 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 31800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 61A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥94.44742 | 413 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.44742 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK-7 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥85.46622 | 1565 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85.46622 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.44858 | 2625 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、45W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 27877 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold | ¥0.86915 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.43063 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 252W(Tc) 供应商设备包装: TO-247G 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥55.77033 | 414 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.77033 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) | ¥1.44858 | 1933 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,800.10514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A 最大功耗: 2.5瓦 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.48190 | 8000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,927.58800 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.07003 | 20381 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.18293 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: SC-74 | ¥0.86915 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 |