9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FQI5N30TU，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FQI5N30TU参考价格为0.53000美元。其他FQI5N30TU封装/规格：MOSFET N-CH 300V 5.4A I2PAK。您可以下载FQI5N30TU英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FQI4N90TU是MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK，包括管封装，它们设计为与FQI4D90TU_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供安装方式功能，如通孔，封装盒设计为在I2PAK-3以及Si技术中工作，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.13 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为70 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4.2 a，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为3.5S，沟道模式为增强。
FQI50N06TU是MOSFET 60V N沟道QFET，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为60 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为105 ns，器件的漏极-源极电阻为22 mOhms，Pd功耗为3.75 W，零件别名为FQI50N06TU_NL，封装为管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为50 A，正向跨导最小值为22 S，下降时间为65 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FQI4P40是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK。FQI4P40在TO262封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK。
FQI50N06，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FQI50N06采用TO-262 3L（I2PAK）封装，是FET的一部分-单个。
