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FQI11P06TU

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、53W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 场效应管类型 P-通道
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±25V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 550 pF @ 25 V
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 供应商设备包装 I2PAK (TO-262)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11.4A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 175毫欧姆@5.7A,10V
  • 最大功耗 3.13W(Ta)、53W(Tc)

FQI11P06TU 产品详情

FQI11P06TU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQI11P06TU 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQI11P06TU价格参考¥2.679873,你可以下载 FQI11P06TU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQI11P06TU规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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