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FQI13N50CTU是MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK，包括管封装，它们设计为与FQI13R50CTU_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计为在I2PAK-3中工作，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有195 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为100 ns，上升时间为100纳秒，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为390mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为15S，沟道模式为增强。
FQI13N10L，带有FSC制造的用户指南。FQI13N10L采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
FQI13N50C是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK。FQI13N50C采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK。
FQI16N15TU，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FQI16N15TU采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
