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FQH8N100C是MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247，包括管封装，它们设计用于0.225401盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供225 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为80 ns，上升时间为95 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.45欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为122ns，典型接通延迟时间为50ns，沟道模式为增强。
FQH70N15，带有Fairchild制造的用户指南。FQH70N15采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
FQH90N15是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 150V 90A TO-247。FQH90N15在TO-247-3封装中提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 150V 90A TO-247、N沟道150V 90V（Tc）375W（Tc）通孔TO-247。
FQHM0323-00带有MX制造的EDA/CAD模型。FQHM0322-00采用PLCC封装，是IC芯片的一部分。
