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FQI7N10LTU

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 40W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1031

数量 单价 合计
1031+ 2.10044 2165.55467
  • 库存: 4000
  • 单价: ¥2.10044
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,165.55
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规格参数

  • 宽(英寸) -
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 5 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 290 pF@25 V
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商
  • 供应商设备包装 I2PAK (TO-262)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 7.3A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 3.65A, 10V
  • 最大功耗 3.75W (Ta), 40W (Tc)

FQI7N10LTU 产品详情

FQI7N10LTU所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FQI7N10LTU 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQI7N10LTU价格参考¥2.100441,你可以下载 FQI7N10LTU中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQI7N10LTU规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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