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FQI5N60CTU是MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK，包括管封装，它们设计为与FQI5N50CTU_NL零件别名一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.073511盎司，具有通孔等安装方式特征，封装外壳设计为适用于to-264-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.13 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为42 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为4.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38ns，典型接通延迟时间为10ns，正向跨导最小值为4.7S，沟道模式为增强。
FQI5N60是FSC制造的MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK。FQI5N60采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK。
FQI5N60C是FCS制造的MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK。FQI5N60C采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK。
FQI5N60TU，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FQI5N60TU采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
