分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥5.14246 | 4398 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 560W (Tc) 供应商设备包装: 最大247 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥162.74796 | 560 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥162.74796 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 75034 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL MOSFET | ¥1.01401 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,227.77118 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 3.4W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 10523 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.82738 | 1481 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.82738 | 立即购买 加入购物车 | ||
P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.60744 | 6466 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: 3-PICOSTAR 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.73590 | 21970 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.73590 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 54000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.59344 | 9609 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,208.50507 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.14246 | 4306 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,159.83278 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 66A (Tc) 最大功耗: 323W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥164.77598 | 160 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥164.77597 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.01401 | 10125 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 73W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 66293 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 73W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.91117 | 9803 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.69713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.89236 | 1657 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.89236 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | ¥2.60744 | 5466 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 56.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.42978 | 7437 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.42978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 91A(Tc) 供应商设备包装: LFPAK56,Power-SO8 | ¥1.59344 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、125A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETS3C 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.14246 | 3790 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 |