分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.46912 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥8.46912 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 1761 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 144W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.58960 | 24 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.58960 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.59344 | 37049 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N CH | ¥95.96843 | 218 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.96843 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.01401 | 36000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、98A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8 FL 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.14006 | 4780 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.14006 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.10044 | 81309 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 1482 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、30A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-HSMT (3.2x3) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥9.70549 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.70549 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.60744 | 14820 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,151.14130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 62A (Tc) 最大功耗: 390W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥96.54786 | 170 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥96.54786 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH TO-92 | ¥1.59344 | 23600 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.14246 | 194704 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.54508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
RF N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 75000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 31.3W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 1458 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 供应商设备包装: 6-WSOF | ¥2.60744 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.03807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.59344 | 23478 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.78779 | 158 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.78779 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥113.64110 | 300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥113.64110 | 添加到BOM 立即询价 |