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什么是结栅场效应晶体管 (JFET):

结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或压控电阻器的器件。在栅极和源极端子之间施加的适当极性的电势差增加了对电流流动的阻力,这意味着更少的电流在源极端子和漏极端子之间的沟道中流动。由于电荷流过源极端子和漏极端子之间的半导体沟道,JFET 不需要偏置电流。

工作温度:
  • -65摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 150摄氏度
  • -65摄氏度 ~ 135摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TA)
  • -50摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -55摄氏度~200摄氏度(TJ)
  • -20摄氏度~80摄氏度(TA)
  • -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • -65摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 125摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 135摄氏度(TJ)
  • -40摄氏度~85摄氏度(TA)
更多
最大功率:
  • 150 mW
  • 100 mW
  • 429 W
  • 700 mW
  • 30 mW
  • 190瓦
  • 460毫瓦
  • 250毫瓦
  • 400毫瓦
  • 254 W
  • 238 W
  • 310 mW
  • 125毫瓦
  • 350毫瓦
  • 1.8瓦
  • 330毫瓦
  • 68 W
  • 325毫瓦
  • 1 W
  • 200毫瓦
  • 625 mW
  • 225毫瓦
  • 190毫瓦
  • 300毫瓦
  • 360毫瓦
  • 500 mW
更多
电阻-RDS(On):
  • 300欧姆
  • 18欧姆
  • 12欧姆
  • 55 mOhms
  • 6 Ohms
  • 70 mOhms
  • 90 mOhms
  • 150欧姆
  • 85 Ohms
  • 200欧姆
  • 175欧姆
  • 45毫欧姆
  • 40欧姆
  • 100毫欧姆
  • 60 Ohms
  • 125欧姆
  • 375 Ohms
  • 25欧姆
  • 100欧姆
  • 80 Ohms
  • 17毫欧姆
  • 250欧姆
  • 7 Ohms
  • 500 mOhms
  • 8 Ohms
  • 75 Ohms
  • 400欧姆
  • 5 Ohms
  • 30欧姆
  • 10欧姆
  • 3欧姆
  • 50 Ohms
更多
击穿电压(V(BR)GSS):
  • 20伏
  • 40伏
  • 30伏
  • 1200伏
  • 1700伏
  • 50 V
  • 15伏
  • 35伏
  • 25伏
  • 6.5 V
  • 22伏
更多
制造厂商:
  • 美高森美 (Microsemi)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • NTE电子 (NTE)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 哈利斯 (HARRIS)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 英诺赛科 (Innoscience)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 威世达勒 (Vishay Dale)
  • 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 德州仪器 (Texas)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 中央半导体 (Central)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
更多
场效应管类型:
  • P-通道
  • n通道
  • 2 N通道
  • 2个N通道(双通道)
供应商设备包装:
  • TO-206AA (TO-18)
  • SMini3-G1
  • 3英里/小时
  • TO-236
  • ECSP1006-3
  • SC-59-3/CP3
  • TO-18 (TO-206AA)
  • SSSMini3-F1
  • UB
  • 3-SPA
  • SC-70-5
  • SSSMini3-F2
  • SOT-23
  • SC-70FL/MCPH3
  • SMini3-F2-B
  • SOT-623F
  • TO-206AF (TO-72)
  • PG-TO247-3
  • SOT-223-4
  • 6-TSSOP
  • VTFP
  • 3-UB (3.09x2.45)
  • Mini3-G1
  • SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
  • TO-71
  • TO-72
  • 5-MCPH
  • SOT-23-3
  • SSMini3-F3-B
  • TO-78-6
  • TO-236AB
  • TO-72-4
  • SMV
  • SMini3-F2
  • 3mcph
  • 3-MPAK
  • SC-88AFL/MCPH5
  • SC-70
  • SOT-23 (TO-236AB)
  • 4-md
  • 3-VTFP
  • TO-206AC (TO-52)
  • 3-CP
  • TO-236 (SOT-23)
  • SC-70-3(SOT323)
  • TO-247-3
  • 8-SOIC
  • SMCP
  • Die
  • SSMini3-F1
  • SSMini3-F3
  • SOT-23-3 (TO-236)
  • TO-92 (TO-226)
  • NS-A1
  • 6-CPH
  • 3-USFP
  • USM
  • TO-92
  • S-Mini
  • SC-59
  • D2PAK-7
  • SOT-323
  • USV
  • TO-18
  • TO-92-3
更多
当前"结栅场效应晶体管 (JFET)"共 528 条相关库存
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
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数量
操作
BSV79
BSV79
场效应管类型: n通道 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 40欧姆 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥73.82224

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥73.82224

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BSV80
BSV80
场效应管类型: n通道 最大功率: 350毫瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-18 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥120.06555

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥120.06555

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PN4302
PN4302
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 625 mW 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥181.94051

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥181.94051

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2SK1070PICTL-E
2SK1070PICTL-E
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 22伏 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: 3-MPAK 工作温度: 150摄氏度

¥119.26843

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥119.26843

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2SK1070PIDTL-E
2SK1070PIDTL-E
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 22伏 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: 3-MPAK 工作温度: 150摄氏度

¥142.05558

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥142.05558

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2SK1070PIETL-E
2SK1070PIETL-E
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 22伏 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: 3-MPAK 工作温度: 150摄氏度

¥79.37871

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.37871

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2SK1070PIETR-E
2SK1070PIETR-E
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 22伏 最大功率: 150 mW 供应商设备包装: 3-MPAK 工作温度: 150摄氏度

¥185.55389

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥185.55389

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2SK3666-2-TB-E
2SK3666-2-TB-E
JFET NCH 30V 200MW 3CP

¥0.43457

382683

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,146.79556

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CP232V-2N4416A-CT20
CP232V-2N4416A-CT20
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 35伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: SOT-23 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥115.78199

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥115.78199

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DSK9J01Q0L
DSK9J01Q0L
场效应管类型: n通道 最大功率: 125毫瓦 供应商设备包装: SSMini3-F3-B 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度(TA)

¥275.12582

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥275.12582

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CP226V-2N4392-CT
CP226V-2N4392-CT
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥309.03539

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥309.03539

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CP226V-2N4393-CT20
CP226V-2N4393-CT20
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥152.16029

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥152.16029

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CP226V-2N4392-CT20
CP226V-2N4392-CT20
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥166.70621

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥166.70621

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CP226V-2N4393-CT
CP226V-2N4393-CT
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 1.8瓦 电阻-RDS(On): 100欧姆 供应商设备包装: Die 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥121.05420

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥121.05420

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PN4393
PN4393
TRANSISTOR SWITCH N-CH SS TO-92

¥395.86794

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥395.86794

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PN4392
PN4392
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 30伏 最大功率: 625 mW 电阻-RDS(On): 60 Ohms 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥184.40244

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥184.40244

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2N5458
2N5458
场效应管类型: n通道 击穿电压(V(BR)GSS): 25伏 最大功率: 310 mW 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: 135摄氏度(TJ)

¥113.05311

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥113.05311

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2N5460
2N5460
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -65摄氏度 ~ 135摄氏度(TJ)

¥256.03242

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥256.03242

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2N5461
2N5461
场效应管类型: P-通道 击穿电压(V(BR)GSS): 40伏 最大功率: 350毫瓦 供应商设备包装: TO-92 (TO-226) 工作温度: -65摄氏度 ~ 135摄氏度(TJ)

¥80.44728

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.44728

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MMBF4391LT1
MMBF4391LT1
JFET SS N-CHAN 30V SOT23

¥252.75778

0

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- +

合计: ¥252.75778

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