品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），50W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（3.3x3.3） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.93918 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A（Tc） 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥43.31254 | 415 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.31254 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥18.61425 | 1396 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.61425 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 140W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥43.45740 | 141 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.45740 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 230W（Tc） 供应商设备包装: TOLL (HV) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.29798 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥19.29798 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 96W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥18.97640 | 2712 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.97640 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK | ¥43.81955 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.81955 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥43.96440 | 1206 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.96440 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Ta）、12.5A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、90W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥19.62826 | 2408 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.62826 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥44.18169 | 1144 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.18169 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.30132 | 4406 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.30132 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥10.14006 | 2990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.14006 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tj） 供应商设备包装: TO-247-3 | ¥44.47141 | 157 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.47141 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥10.50221 | 289 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.50221 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 600V POWERFLAT HV | ¥19.70069 | 1687 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.70069 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 190W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥44.90598 | 245 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.90598 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A（Ta），22.5A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、150W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥45.05084 | 1567 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.05084 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Tc) 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥19.91798 | 1549 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.91797 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥45.26813 | 762 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.26813 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 140W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥45.34055 | 540 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.34055 | 添加到BOM 立即询价 |