品牌介绍
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（SoC）技术的前沿，其产品在推动当今的融合趋势方面发挥着关键作用。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.92478 | 409 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.92478 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.84067 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.84067 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 31.5A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥36.06964 | 280 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.06964 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 640 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥15.64466 | 2500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.64466 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥36.06964 | 177 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.06964 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥36.28693 | 171 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.28693 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥36.35936 | 3383 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.35936 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 230W（Tc） 供应商设备包装: TOLL (HV) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥36.35936 | 140 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.35936 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 3W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（8x8）高压 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥48.81715 | 4833 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.81715 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥36.50422 | 1000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.50422 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A（Tc） 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.49981 | 3058 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49981 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 175摄氏度（TJ） | ¥15.49981 | 2777 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49981 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥37.01122 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.01122 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 91A（Tc） 最大功耗: 547W (Tc) 供应商设备包装: HiP247 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥318.47031 | 10 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥318.47031 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥15.49981 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.49981 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat（5x6）高压 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.50750 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.50750 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A（Tc） 最大功耗: 110W（Tc） 供应商设备包装: TO-220 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥37.59065 | 174 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.59065 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 60W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 (IPAK) 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.83634 | 2497 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.83634 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 620 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.64466 | 1498 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.64466 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 25W（Tc） 供应商设备包装: I2PAKFP (TO-281) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.64466 | 1496 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.64466 | 添加到BOM 立即询价 |