品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.35927 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.35927 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4,089.45723 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,089.45723 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 4.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥306.98307 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥306.98307 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A、2.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.53406 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.53406 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A 供应商设备包装: DIRECTFETSA 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥533.14987 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥533.14987 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.71373 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.71373 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥304.31769 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥304.31769 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥13.89188 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.89188 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A、3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.41817 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.41817 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.44618 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.44618 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥17.16567 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.04047 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.56255 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.56255 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 4.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.47227 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.47227 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥119.72514 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥119.72514 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 55V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.18256 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.18256 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | ¥19.26611 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,138.53865 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL+P-CH | ¥58.91375 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.91375 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 4.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.34430 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.34430 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A、2.3A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.94014 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.94014 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥1.52101 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,140.05966 | 添加到BOM 立即询价 |