品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TRANSISTOR N-CH | ¥38.27148 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.27148 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥66.59122 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.59122 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | TRANSISTOR P-CH BARE DIE | ¥30.49261 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.49261 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A（Ta）、157A（Tc） 最大功耗: 4W (Ta), 195W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥91.57923 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥91.57923 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | TRANSISTOR P-CH BARE DIE | ¥13.96431 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.96431 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 128A（Tc） 最大功耗: 278W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.70309 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥940.99757 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER | ¥11.15407 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.15407 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21毫安（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.78079 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.78079 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A (Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.42498 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,919.94793 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER | ¥16.87596 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.99845 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21毫安（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥27.17536 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.17536 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Tc） 最大功耗: 210W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3-901 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.42978 | 1920 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET COOLMOS 700V 8TSON | ¥12.37087 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.37087 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥131.31378 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥131.31378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Tc) 最大功耗: 83.3W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.40777 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,811.60161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.51861 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.51861 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥27.29125 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.29125 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 94W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.96767 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.96767 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.05554 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.05554 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 8-TDSON | ¥16.77456 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.77456 | 添加到BOM 立即询价 |