品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.54806 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.54806 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 64A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 130W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥10.08212 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.08212 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.04010 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.04010 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | HIGH POWER_LEGACY | ¥20.23666 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.23666 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 | ¥41.41490 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.41490 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 116A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 180W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥25.97304 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.97304 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥26.68284 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.68284 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | LOW POWER_LEGACY | ¥5.21489 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,069.05204 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | ¥35.83787 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.83787 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 89A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 170W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥139.97629 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥139.97628 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥13.66011 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.66011 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | LOW POWER_LEGACY | ¥20.71469 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.71469 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | ¥86.63957 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.63957 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 2.4W（Ta）、330W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.25883 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.25883 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.45923 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.45923 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | LOW POWER_LEGACY | ¥27.91414 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.91414 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB | ¥4.50508 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.50508 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | LOW POWER_LEGACY | ¥16.62970 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.62970 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 100V 69A TO220-3 | ¥8.22793 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.22793 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 174A（Tc） 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: 超220（至273AA） 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥79.65741 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.65741 | 添加到BOM 立即询价 |