品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.08125 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥42.08125 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥16.91941 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.91941 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 94W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.83490 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.83490 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.71661 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.71661 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥6.22889 | 19000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.65511 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 171W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.06916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.06916 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A（Tc） 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥17.93342 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.93342 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥58.42123 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.42123 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥5.57703 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Tc） 最大功耗: 128W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.67412 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.67412 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.76544 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.76544 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 195A（Tc） 最大功耗: 294W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.30525 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.30525 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥6.22889 | 39476 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.65511 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta） 最大功耗: 101W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥15.42738 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.69388 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.69388 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.39016 | 22500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,153.53146 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | ¥6.93508 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,485.64591 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.8A（Tc） 最大功耗: 104W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.74127 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.74127 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.79096 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.79096 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A（Tc） 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.66587 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,844.11477 | 添加到BOM 立即询价 |