1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.7W(Ta)、28W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥27.98657 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.98657 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LOW POWER_LEGACY | ¥7.53262 | 10479 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 38420 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.99040 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.99040 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 91W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.48096 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.48096 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta) 最大功耗: 2.8W (Ta), 34W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥817.28884 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LOW POWER_LEGACY | ¥2.89716 | 41925 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.76716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.16999 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.16999 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥59.16001 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥59.16001 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 210W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥36.43131 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.43131 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 3W (Ta), 30W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥87.21900 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥87.21900 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LV POWER MOS | ¥4.44714 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.44714 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、120W(Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥56.01659 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.01659 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 190毫安(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥34.44723 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.44723 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A (Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.11157 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.11157 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.15886 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.15886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
LV POWER MOS | ¥3.11445 | 1500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,192.57069 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A(Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥72.86357 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.86357 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 190毫安(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT89 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.63355 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.63355 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.57150 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥12.57150 | 立即购买 加入购物车 |