1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A(Tc) 最大功耗: 4.3W (Ta), 94W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.74990 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.74990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2.6W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.37615 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥107.33978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥4.56303 | 23000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.31177 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 144W(Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.69196 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.69196 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90毫安 (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT89 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.57080 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.57080 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥6.22889 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.65511 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.56888 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.56888 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A(Tc) 最大功耗: 95W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.05602 | 6994 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.02886 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.69388 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.69388 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥14.55823 | 38500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.20625 | 9000 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23.20625 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥33.91126 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.91126 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、139W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.41817 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.15732 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 99W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.02801 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,806.95869 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥11.67918 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,554.87864 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.58432 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.58432 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 93W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥90.59419 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥90.59419 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 560 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-111 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥61.01419 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.01419 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.83490 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.83490 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CHANNEL_100+ | ¥6.22889 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.65511 | 添加到BOM 立即询价 |