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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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AUIRFN8403TR
AUIRFN8403TR
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 95A(Tc) 最大功耗: 4.3W (Ta), 94W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.74990

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.74990

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IRFHM8342TRPBF
IRFHM8342TRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2.6W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.37615

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥107.33978

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IPB35N12S3L26ATMA1
IPB35N12S3L26ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+

¥4.56303

23000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,158.31177

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IRFU12N25DPBF
IRFU12N25DPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 144W(Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.69196

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.69196

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BSS225H6327XTSA1
BSS225H6327XTSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90毫安 (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT89 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.57080

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.57080

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IPB70N12S3L12ATMA1
IPB70N12S3L12ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+

¥6.22889

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.65511

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IRLU3705ZPBF
IRLU3705ZPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 130W(Tc) 供应商设备包装: IPAK (TO-251AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥22.56888

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.56888

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BUZ31H3046XKSA1
BUZ31H3046XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A(Tc) 最大功耗: 95W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

6994

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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IRFR7540PBF
IRFR7540PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.69388

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.69388

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IPI100N12S305AKSA1
IPI100N12S305AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+

¥14.55823

38500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.73435

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IRFL4315PBF
IRFL4315PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.20625

9000

2-3 工作日

- +

合计: ¥23.20625

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IPB160N08S403ATMA1
IPB160N08S403ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 160A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥33.91126

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.91126

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BSC014N03MSGATMA1
BSC014N03MSGATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、139W(Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.41817

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.15732

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IRFR7546PBF
IRFR7546PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 99W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.02801

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,806.95869

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IPI50N12S3L15AKSA1
IPI50N12S3L15AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+

¥11.67918

10

2-3 工作日

- +

合计: ¥4,554.87864

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IRF5803D2PBF
IRF5803D2PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.58432

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.58432

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IPB60R330P6ATMA1
IPB60R330P6ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 93W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥90.59419

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥90.59419

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SPP16N50C3XKSA1
SPP16N50C3XKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 560 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-111 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥61.01419

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥61.01419

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IPD035N06L3GATMA1
IPD035N06L3GATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.83490

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.83490

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IPI70N12S311AKSA1
IPI70N12S311AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+

¥6.22889

24000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.65511

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