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品牌介绍

1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。

英文全称: Infineon Technologies

中文全称: 英飞凌

英文简称: Infineon

品牌地址: http://www.infineon.com/

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描述
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IPD50N06S214ATMA1
IPD50N06S214ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.82473

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥129.93763

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IPD50N06S2L13ATMA1
IPD50N06S2L13ATMA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.43266

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.43265

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IPD50R399CP
IPD50R399CP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.61905

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.61905

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IPD50R520CP
IPD50R520CP
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Tc) 最大功耗: 66W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.21537

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.21537

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IPD80N06S3-09
IPD80N06S3-09
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-11 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.47659

7004

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.34659

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IPI024N06N3GHKSA1
IPI024N06N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.34679

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.34679

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IPI028N08N3GHKSA1
IPI028N08N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.53454

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.53454

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IPI030N10N3GHKSA1
IPI030N10N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥32.36128

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.36128

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IPI037N06L3GHKSA1
IPI037N06L3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.90973

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.90973

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IPI037N08N3GHKSA1
IPI037N08N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.21345

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.21345

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IPI040N06N3GHKSA1
IPI040N06N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 188W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.47812

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.47812

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IPI075N15N3GHKSA1
IPI075N15N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.96911

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.96911

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SIPC26N60CFDX1SA1
SIPC26N60CFDX1SA1
MOSFET COOL MOS 600V

¥4.85707

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.85707

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IPI100N04S303AKSA1
IPI100N04S303AKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 214W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.49549

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.49549

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IPI100N08N3GHKSA1
IPI100N08N3GHKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥58.07357

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥58.07357

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IPI100N08S207AKSA1
IPI100N08S207AKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥35.77993

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥35.77993

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IPP80N06S4L05AKSA2
IPP80N06S4L05AKSA2
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥80.35273

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥80.35273

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IPI100N10S305AKSA1
IPI100N10S305AKSA1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.60265

20500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.25776

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IPP80P04P405AKSA1
IPP80P04P405AKSA1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.86627

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.86627

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IPI100P03P3L-04
IPI100P03P3L-04
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥40.38641

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.38641

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