1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 79W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.21201 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.21201 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V DIE ON WAFER | ¥97.33009 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.33009 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER | ¥12.67508 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.67508 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.24530 | 17500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,198.14772 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 150V DIE ON WAFER | ¥16.70213 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.70213 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V DIE ON FILM | ¥11.47709 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.47709 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER | ¥20.35255 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.35255 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Tc) 最大功耗: 27.2W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.23666 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.23666 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 44W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.38008 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.38008 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.9A (Tc) 最大功耗: 29.2W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.20740 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.20740 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: DirectFET等距S1 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥44.35552 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.35552 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 192W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥13.97880 | 500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,180.69233 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Tc) 最大功耗: 127W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.67049 | 1 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,640.68892 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.14246 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.15647 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,816.15718 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.44858 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.31858 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.83394 | 38000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.92842 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.36799 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.36799 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Tc) 最大功耗: 47W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥74.13832 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥74.13832 | 添加到BOM 立即询价 |