品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 115W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥24.64035 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.64035 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,281.99330 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.89476 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥773.68658 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Tc） 最大功耗: 28W（Tc） 供应商设备包装: TO-251 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.46645 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,203.14445 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Tc） 最大功耗: 22W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥40.69061 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.69061 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 27.2W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-3-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 49971 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,148.75114 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 27W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.39016 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.54902 | 734 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,604.98141 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.37375 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥286.81884 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.06331 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.06331 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.73830 | 1878 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-251 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.99084 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,615.10907 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Tc） 最大功耗: 28W（Tc） 供应商设备包装: TO-251 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH TO262-3 | ¥14.92037 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.92037 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO262-3 | ¥8.76391 | 11000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH 1TO251-3 | ¥3.50556 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.50556 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO263-3 | ¥7.61953 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.61953 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET SOT223-4 | ¥8.01065 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.01065 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO263-3 | ¥8.76391 | 24755 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,173.44943 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | MOSFET N-CH TO252-5 | ¥94.20116 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.20116 | 添加到BOM 立即询价 |