品牌介绍
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.81993 | 357 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.81993 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB | ¥10.00607 | 19 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4,102.48706 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 106W（Tc） 供应商设备包装: PG-HSOF-8-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥33.10005 | 1111 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.10005 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Ta), 180A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 214W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥33.17248 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.17248 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥51.99823 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥51.99823 | 立即购买 加入购物车 | |
 | IPW60R060 - 600V COOLMOS N-CHANN | ¥34.76592 | 155 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: PG-SOT363-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.59344 | 884 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.59344 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 190A（Tc） 最大功耗: 370W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (7-Lead) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.77697 | 80 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥14.77697 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 227W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.44579 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.44579 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A（Ta）、100A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: PG-TDSON-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 | 8868 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Tc） 最大功耗: 176W（Tc） 供应商设备包装: PG-HDSOP-10-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.94286 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23.94286 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A（Tc） 最大功耗: 127W（Tc） 供应商设备包装: PG-HSOF-8-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥38.60466 | 1464 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.60466 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | AF TRANSISTORS | ¥0.21729 | 231000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,517.26990 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥0.46717 | 153 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5,264.50492 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A（Tc） 最大功耗: 214W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.28906 | 6 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥21.28906 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 94W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.91460 | 5 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥20.91460 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安（Ta） 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 | 17 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A (Tc) 最大功耗: 83.3W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-3-2 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.43218 | 1666 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.73435 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 77W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO263-7-11 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥23.94286 | 10 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥23.94286 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A（Tc） 最大功耗: 114W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO263-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥41.57425 | 438 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.57425 | 添加到BOM 立即询价 |