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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FQA28N15_F109
FQA28N15_F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥72.40003

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥72.40003

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SI4410DY
SI4410DY
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.96057

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.96057

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IRLW610ATM
IRLW610ATM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、33W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.14543

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.14543

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FQA36P15_F109
FQA36P15_F109
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Tc) 最大功耗: 294W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PN 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥84.04661

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥84.04661

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SI9424DY
SI9424DY
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.60553

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.60553

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HUF75309D3ST
HUF75309D3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥59.47870

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥59.47870

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FQA46N15_F109
FQA46N15_F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥60.95625

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.95625

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FQPF3N40
FQPF3N40
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥30.55055

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.55055

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SI9435DY
SI9435DY
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.44570

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.44570

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FQA5N90_F109
FQA5N90_F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 185W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥81.96066

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥81.96066

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FQP9N25C
FQP9N25C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.53214

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.53214

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FQA6N80_F109
FQA6N80_F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Tc) 最大功耗: 185W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥72.51592

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥72.51592

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FQB4P25TM
FQB4P25TM
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、75W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.94162

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.94162

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FQA7N80_F109
FQA7N80_F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Tc) 最大功耗: 198W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.92373

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.92373

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FQP9N25CTSTU
FQP9N25CTSTU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.83634

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.83634

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FQA7N90M_F109
FQA7N90M_F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 210W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.70165

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.70165

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HUF75309T3ST
HUF75309T3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.37087

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.37087

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NTMFD4952NFT1G
NTMFD4952NFT1G
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL

¥12.67508

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,012.61250

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FQA7N90_F109
FQA7N90_F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 198W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.30621

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.30621

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FQI3N40TU
FQI3N40TU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta),55W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.54039

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.54039

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