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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NTK3142PT5G
NTK3142PT5G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 215毫安(Ta) 最大功耗: 280毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-723 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.65186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,874.75224

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SFU9220TU_F080
SFU9220TU_F080
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、30W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK

¥17.99136

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.99136

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NDD02N60ZT4G
NDD02N60ZT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.95558

53629

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.69713

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NTMS7N03R2G
NTMS7N03R2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.88172

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.88172

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FQAF15N70
FQAF15N70
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.5A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.09813

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.09813

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FDD6796
FDD6796
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.67373

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.67373

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NTLGF3501NT2G
NTLGF3501NT2G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 最大功耗: 1.14W(Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

192000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,196.33700

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SFW9530TM
SFW9530TM
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 66W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.63027

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.63027

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FDD4685TF_SB82135
FDD4685TF_SB82135
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Ta), 32A (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.06964

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.06964

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NDD03N50ZT4G
NDD03N50ZT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 58W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.95558

76261

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.69713

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NTTFS4821NTAG
NTTFS4821NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 57A (Tc) 最大功耗: 660mW (Ta), 38.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.24530

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,148.75114

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FQA24N50F
FQA24N50F
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Tc) 最大功耗: 290W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥62.33240

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.33240

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FDD6780
FDD6780
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.5A(Ta)、30A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.88267

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.88267

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NTLJF3117PTAG
NTLJF3117PTAG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 710mW (Ta) 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.37615

21829

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.97005

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SFW9640TM
SFW9640TM
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、123W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥34.80938

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.80938

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FDFMJ2P023Z
FDFMJ2P023Z
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A(Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SC-75,MicroFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥137.52819

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.52819

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NDD03N60ZT4G
NDD03N60ZT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 61W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.10044

61597

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,165.55467

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2SJ652
2SJ652
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),30W(Tc) 供应商设备包装: TO-220ML 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥24.75623

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.75623

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ISL9N302AP3
ISL9N302AP3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 345W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.30180

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.30180

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NTLJF3118NTAG
NTLJF3118NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: 6-WDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.81073

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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