品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、58A（Tc） 最大功耗: 1.3W（Ta），52W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥39.50278 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.50278 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V TRENCH | ¥25.94407 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.94407 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、58A（Tc） 最大功耗: 1.3W（Ta），52W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.29988 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.29988 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、110A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.57703 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.57703 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、58A（Tc） 最大功耗: 1.3W（Ta），52W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.30372 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、110A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 68W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.86675 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.86675 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、58A（Tc） 最大功耗: 1.3W（Ta），52W（Tc） 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.07684 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.07684 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Ta), 44A (Tc) 最大功耗: 1.1W（Ta），35.7W（Tc） 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Ta）、171A（Tc） 最大功耗: 950毫瓦（Ta），96.2瓦（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥25.39361 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.39361 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.2A（Ta）、117A（Tc） 最大功耗: 930毫瓦（Ta），73.5瓦（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 | 5671 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,164.17852 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A（Ta）、100A（Tc） 最大功耗: 890mW (Ta), 55.5W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥50.74376 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥50.74376 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 供应商设备包装: TO-220 | ¥7.72093 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.72093 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 860mW (Ta), 33.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.14975 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.14975 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Ta), 26A (Tc) 最大功耗: 840mW (Ta), 27.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥37.56168 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.56168 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥4.92517 | 4700 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.77637 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.74894 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.74894 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 48.4W (Tj) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.36656 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.36656 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.80161 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.80161 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 52A 5DFN | ¥111.70000 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥111.70000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、52A（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥56.37873 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.37873 | 添加到BOM 立即询价 |