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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTTFS4C58NTWG
NTTFS4C58NTWG
MOSFET N-CH 30V 48A 8WDFN

¥4.64994

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.64994

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NVMFS6B05NLWFT1G
NVMFS6B05NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.83826

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.83826

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NTTFS4C65NTAG
NTTFS4C65NTAG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN

¥37.73551

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.73551

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NVMFS6B05NLWFT3G
NVMFS6B05NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥62.11511

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥62.11511

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NTTFS4C65NTWG
NTTFS4C65NTWG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN

¥3.13560

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.13560

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2SJ661-DL-E
2SJ661-DL-E
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta)、65W(Tc) 供应商设备包装: SMP-FD 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥23.48148

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.48148

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NVMFS6B14NLT3G
NVMFS6B14NLT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、55A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥207.66843

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥207.66843

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NVB5860NLT4G
NVB5860NLT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A (Ta) 最大功耗: 283W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.78952

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.95404

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2SJ665-DL-E
2SJ665-DL-E
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta)、65W(Tc) 供应商设备包装: SMP-FD 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥10.14006

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.14006

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NVMFS6B14NLWFT3G
NVMFS6B14NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、55A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 94W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.11838

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.11838

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NVB5860NT4G
NVB5860NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220A(Tc) 最大功耗: 283W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.78952

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.95404

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2SK3816-DL-E
2SK3816-DL-E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: SMP-FD 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥11.86387

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.86387

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NVB6411ANT4G
NVB6411ANT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 77A (Tc) 最大功耗: 217W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.44378

800

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.31858

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FDME910PZT
FDME910PZT
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta) 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥60.99970

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.99970

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2SK3817-DL-E
2SK3817-DL-E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta)、65W(Tc) 供应商设备包装: SMP-FD 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥28.34871

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.34871

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NVB6412ANT4G
NVB6412ANT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥31.11550

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.11550

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FDMS8570SDC
FDMS8570SDC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),59W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥47.83211

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥47.83211

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2SK3820-DL-E
2SK3820-DL-E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: SMP-FD 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥34.63555

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.63555

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NVB6413ANT4G
NVB6413ANT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,868.81306

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FDB9403-F085
FDB9403-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 333W (Tj) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥54.81427

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥54.81427

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