onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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MOSFET N-CH 28V 14A 8SO | ¥19.33854 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.33854 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.72870 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.72870 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 | ¥5.54806 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.54806 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.3A(Ta)、64A(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) | ¥8.61905 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.23895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.3A(Ta)、64A(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) | ¥13.02273 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.02273 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.88948 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.88948 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN | ¥120.34803 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥120.34803 | 添加到BOM 立即询价 | ||
T6 60V NCH LL IN U8FL | ¥24.77072 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.77072 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 35A 8WDFN | ¥2.39016 | 46500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,155.92161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.78079 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.78079 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 35A 8WDFN | ¥54.23484 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.23484 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥45.71719 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.71719 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN | ¥3.83874 | 48000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.72514 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥6.59104 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN | ¥60.40579 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥60.40579 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥13.25451 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.25451 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 65A 8WDFN | ¥3.25931 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.99366 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥72.97946 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.97946 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 65A 8WDFN | ¥11.80593 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥4.59200 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.59200 | 添加到BOM 立即询价 |