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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NTMS4503NSR2G
NTMS4503NSR2G
MOSFET N-CH 28V 14A 8SO

¥19.33854

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.33854

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NTP4813NLG
NTP4813NLG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.72870

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.72870

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NTR4503NST1G
NTR4503NST1G
MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

¥5.54806

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.54806

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NTTFS4965NFTAG
NTTFS4965NFTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.3A(Ta)、64A(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3)

¥8.61905

12000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.23895

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NTTFS4965NFTWG
NTTFS4965NFTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.3A(Ta)、64A(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3)

¥13.02273

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.02273

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NTMFS4C290NT1G
NTMFS4C290NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta), 46A (Tc) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.88948

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.88948

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NTTFS4C50NTWG
NTTFS4C50NTWG
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN

¥120.34803

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥120.34803

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NTTFS5CS70NLTWG
NTTFS5CS70NLTWG
T6 60V NCH LL IN U8FL

¥24.77072

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.77072

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NTTFS4C53NTAG
NTTFS4C53NTAG
MOSFET N-CH 30V 35A 8WDFN

¥2.39016

46500

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,155.92161

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NVMFS6B03NLT1G
NVMFS6B03NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.78079

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.78079

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NTTFS4C53NTWG
NTTFS4C53NTWG
MOSFET N-CH 30V 35A 8WDFN

¥54.23484

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥54.23484

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NVMFS6B03NLT3G
NVMFS6B03NLT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥45.71719

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.71719

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NTTFS4C55NTAG
NTTFS4C55NTAG
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN

¥3.83874

48000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.72514

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NVMFS6B03NLWFT1G
NVMFS6B03NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.59104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.59104

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NTTFS4C55NTWG
NTTFS4C55NTWG
MOSFET N-CH 30V 75A 8WDFN

¥60.40579

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥60.40579

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NVMFS6B03NLWFT3G
NVMFS6B03NLWFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 145A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 198W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.25451

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.25451

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NTTFS4C56NTAG
NTTFS4C56NTAG
MOSFET N-CH 30V 65A 8WDFN

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,186.99366

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NVMFS6B05NLT1G
NVMFS6B05NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥72.97946

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥72.97946

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NTTFS4C56NTWG
NTTFS4C56NTWG
MOSFET N-CH 30V 65A 8WDFN

¥11.80593

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.80593

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NVMFS6B05NLT3G
NVMFS6B05NLT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 114A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 165W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.59200

9000

5-7 工作日

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合计: ¥4.59200

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