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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NCV8440STT1G
NCV8440STT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 59 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1.69W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.43314

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.43314

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NCV8440STT3G
NCV8440STT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 59 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1.69W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.12797

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.12797

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NDF02N60ZH
NDF02N60ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 24W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.95558

1168700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,170.69713

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NDF03N60ZH
NDF03N60ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.81073

78600

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.49145

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FCPF11N65
FCPF11N65
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3

¥50.64236

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥50.64236

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NDF04N60ZH
NDF04N60ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.02801

140928

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.94483

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FDMS5360L-F085
FDMS5360L-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥70.37202

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.37202

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NDF05N50ZH
NDF05N50ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.02801

560799

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.94483

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FDMS5362L-F085
FDMS5362L-F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.6A(Tc) 最大功耗: 41.7W (Tc) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.00690

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.00690

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NDF06N60ZH
NDF06N60ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.04202

266

5-7 工作日

- +

合计: ¥809.17679

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FDMC4435BZ-F126
FDMC4435BZ-F126
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 18A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥94.85302

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥94.85302

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FDFME3N311ZT
FDFME3N311ZT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.79528

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.79528

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NDF08N50ZH
NDF08N50ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.40416

259040

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.47265

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NDF08N60ZH
NDF08N60ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

9739

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,183.29978

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NDF10N60ZH
NDF10N60ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.69388

210642

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,175.69473

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NDF11N50ZH
NDF11N50ZH
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-2 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.11061

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.11061

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FDMC8878_F126
FDMC8878_F126
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.68865

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.68865

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NSTR4501NT1G
NSTR4501NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236)

¥0.72429

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.57665

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NTBV25P06T4G
NTBV25P06T4G
MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

¥56.04556

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.04556

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NTBV30N20T4G
NTBV30N20T4G
MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

¥72.64629

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥72.64629

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