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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDMS7650DC
FDMS7650DC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.53703

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5-7 工作日

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合计: ¥28.53703

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FDC638P
FDC638P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.98360

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5-7 工作日

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合计: ¥3.98360

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NVTFS4C25NTAG
NVTFS4C25NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.1A(Ta)、22.1A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 14.3W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.12845

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5-7 工作日

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合计: ¥4.12845

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NVTFS5C454NLWFTAG
NVTFS5C454NLWFTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.80833

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合计: ¥6.80833

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FQD11P06TM
FQD11P06TM
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、38W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.26824

7

2-3 工作日

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FDN357N
FDN357N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.43047

1368

2-3 工作日

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FDMS86350ET80
FDMS86350ET80
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、198A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta)、187W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.75431

737

5-7 工作日

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合计: ¥28.75431

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NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、36A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 37W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.80833

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5-7 工作日

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合计: ¥6.80833

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FDME820NZT
FDME820NZT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 2.1W(Ta) 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.17047

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.17047

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HUF75321D3ST
HUF75321D3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 93W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.17047

1752

5-7 工作日

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合计: ¥7.17047

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NVTFS5C453NLWFTAG
NVTFS5C453NLWFTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 107A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.38776

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5-7 工作日

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NTD14N03RT4G
NTD14N03RT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 1.04W(Ta),20.8W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.31121

50

2-3 工作日

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合计: ¥2.31121

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FDC640P
FDC640P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.18688

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5-7 工作日

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合计: ¥3.18688

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FDMS0308AS
FDMS0308AS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

0

5-7 工作日

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FDMS86101DC
FDMS86101DC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、125W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.29943

48

2-3 工作日

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FQD19N10TM
FQD19N10TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.95318

0

5-7 工作日

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NTD20P06LT4G
NTD20P06LT4G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.5A(Ta) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.31533

0

5-7 工作日

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FDN336P
FDN336P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.59851

989

2-3 工作日

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SI4435DY
SI4435DY
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.38776

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NTTFS4C02NTAG
NTTFS4C02NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A(Tc) 最大功耗: 91W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

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