品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥11.87836 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.87836 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Ta), 14A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.50460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.50460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 78A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.38776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.38776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 87A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.59104 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A（Ta）、141A（Tc） 最大功耗: 2.8W（Ta）、75W（Tc） 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.53022 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.53022 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Ta), 30A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta）、42W（Tc） 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.50460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.50460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 54W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥14.63066 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.63066 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥1.73105 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.31053 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.77552 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.77552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Tc） 最大功耗: 2.1W（Tc） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.57703 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.57703 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A（Ta） 最大功耗: 3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.57703 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.57703 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.77792 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.77792 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 136A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta）、64W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥9.58960 | 30 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥9.58960 | 立即购买 加入购物车 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.17287 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,055.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Tc） 最大功耗: 2.5W（Ta），55W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.38776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.38776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.29021 | 4 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.29020 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.84795 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.84795 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.8A (Ta), 27A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 28W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4（5x6） 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.46019 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.46019 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.17287 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,412.36550 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A（Tc） 最大功耗: 114W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.46019 | 2413 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.46019 | 添加到BOM 立即询价 |