品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET 30MA 20V | ¥0.43457 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,738.29600 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Tc） 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥19.91798 | 8000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.91797 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 130毫安（Ta） 最大功耗: 225毫瓦（Ta） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥17.88996 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.88996 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 185A（Tc） 最大功耗: 300W (Ta) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥26.14687 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.14687 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Tc） 最大功耗: 125W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥20.35255 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.35255 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 368W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥76.99203 | 1581 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.99203 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥20.49741 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.49741 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、123A（Tc） 最大功耗: 3.8W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥28.89917 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.89917 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、61A（Tc） 最大功耗: 150W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.00921 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | ¥0.50700 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,741.55530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 2SB817 - P-CHANNEL SILICON MOSFE | ¥11.22650 | 1357 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.94003 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥21.29413 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.29413 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A（Ta） 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥32.95520 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.95520 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Ta), 250A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 供应商设备包装: 8-LFPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.70750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.70750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 533A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta) 供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥35.92478 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.92478 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | P-CHANNEL POWER MOSFET | ¥2.10044 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.55467 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta), 14A (Tc) 最大功耗: 3.1W（Ta）、41W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.74750 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.74750 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 554.5A (Tc) 最大功耗: 5W 供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.17008 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.17008 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 533A (Tc) 最大功耗: 5W 供应商设备包装: 8-DFNW (8.3x8.4) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.17008 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥38.17008 | 添加到BOM 立即询价 |