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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDB0105N407L
FDB0105N407L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 460A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-263-7 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥46.86156

0

5-7 工作日

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合计: ¥46.86156

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FDS4685
FDS4685
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.02561

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FDB86102LZ
FDB86102LZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Ta), 30A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

4

5-7 工作日

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合计: ¥12.45779

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NVTFS4C05NTAG
NVTFS4C05NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta)、102A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、68W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.66347

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NVMYS025N06CLTWG
NVMYS025N06CLTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 21A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 24W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.02561

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NVMFS5C460NLAFT1G
NVMFS5C460NLAFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、78A(Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 50W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.66347

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HUF75344G3
HUF75344G3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 285W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥29.69589

450

5-7 工作日

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合计: ¥29.69589

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FDC634P
FDC634P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.05602

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.05602

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NTTFS5C453NLTAG
NTTFS5C453NLTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、107A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),68W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.22650

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.22650

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FDMC4435BZ
FDMC4435BZ
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta), 18A (Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.09804

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NTHS4101PT1G
NTHS4101PT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.8A (Tj) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.33101

195

2-3 工作日

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合计: ¥3.33101

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NVGS5120PT1G
NVGS5120PT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.61328

10

2-3 工作日

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合计: ¥14.61328

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FDB2532
FDB2532
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 79A (Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.86195

0

5-7 工作日

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合计: ¥15.86195

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FDMC7660S
FDMC7660S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、41W(Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.66107

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.66107

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FDMC8878
FDMC8878
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.42978

0

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合计: ¥10.42978

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NTMFS5C682NLT1G
NTMFS5C682NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.66107

0

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合计: ¥11.66107

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NVD5C688NLT4G
NVD5C688NLT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 18W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

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合计: ¥6.66347

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NTTFS4C05NTAG
NTTFS4C05NTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、75A(Tc) 最大功耗: 820mW (Ta), 33W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.73590

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NVMYS8D0N04CTWG
NVMYS8D0N04CTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK4(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.95318

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合计: ¥6.95318

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FDMA8878
FDMA8878
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、10A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.17047

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