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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SIZ200DT-T1-GE3
SIZ200DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta)、61A(Tc)、22A(Ta)、60A(Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.82233

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5-7 工作日

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合计: ¥7.82233

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SIZ300DT-T1-GE3
SIZ300DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A、28A 供应商设备包装: 8-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.54662

45

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合计: ¥8.54662

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SQ4940AEY-T1_GE3
SQ4940AEY-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.69148

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合计: ¥8.69148

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SI5517DU-T1-GE3
SI5517DU-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PowerPAKChipFet Dual 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

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合计: ¥8.90877

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SIR770DP-T1-GE3
SIR770DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.90877

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SQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A、60A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

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合计: ¥9.19848

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SI4900DY-T1-GE3
SI4900DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.48820

0

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合计: ¥9.48820

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SI7904BDN-T1-GE3
SI7904BDN-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

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合计: ¥9.99520

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SI5902BDC-T1-E3
SI5902BDC-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

5

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合计: ¥9.99520

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SQJB90EP-T1_GE3
SQJB90EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.71949

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合计: ¥10.71949

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SQJ990EP-T1_GE3
SQJ990EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.71949

0

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合计: ¥10.71949

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SQJ204EP-T1_GE3
SQJ204EP-T1_GE3
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、60A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.22650

31

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合计: ¥11.22650

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SQJ208EP-T1_GE3
SQJ208EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、60A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.22650

0

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合计: ¥11.22650

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SIZ902DT-T1-GE3
SIZ902DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.29892

0

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合计: ¥11.29892

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SISF02DN-T1-GE3
SISF02DN-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30.5A (Ta), 60A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8SCD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.80593

45

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- +

合计: ¥11.80593

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SIZF360DT-T1-GE3
SIZF360DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、83A(Tc)、34A(Ta 供应商设备包装: 6-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.16807

50

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合计: ¥12.16807

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SQ4961EY-T1_GE3
SQ4961EY-T1_GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

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合计: ¥12.45779

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SISF20DN-T1-GE3
SISF20DN-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、52A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8SCD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.09564

0

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合计: ¥12.09564

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SQ4949EY-T1_GE3
SQ4949EY-T1_GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.24050

0

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合计: ¥12.24050

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SI7228DN-T1-GE3
SI7228DN-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥312.12553

9000

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合计: ¥312.12553

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