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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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品牌型号
描述
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SI5947DU-T1-E3
SI5947DU-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PowerPAKChipFet Dual 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.41433

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.41433

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SIA513DJ-T1-GE3
SIA513DJ-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.09852

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.09852

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SI4650DY-T1-E3
SI4650DY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.34094

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.34094

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SIA911EDJ-T1-GE3
SIA911EDJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49060

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.49060

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SI6544BDQ-T1-E3
SI6544BDQ-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 3.8A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.35735

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.35735

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SI4670DY-T1-E3
SI4670DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.73686

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.73686

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SIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.46019

96

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.46019

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SIA912DJ-T1-GE3
SIA912DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.34526

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.34526

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SI6562DQ-T1-E3
SI6562DQ-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 8-TSSOP

¥5.82329

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.82329

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SI4830CDY-T1-GE3
SI4830CDY-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.37327

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.37327

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SI6924AEDQ-T1-E3
SI6924AEDQ-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 28伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.15359

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.15359

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SIA913DJ-T1-GE3
SIA913DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.57895

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.57895

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SI4228DY-T1-GE3
SI4228DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.59104

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.59104

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SI4906DY-T1-GE3
SI4906DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.47563

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.47563

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SI7980DP-T1-GE3
SI7980DP-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

85

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.60505

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SIA917DJ-T1-GE3
SIA917DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥920.70296

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥920.70296

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SI6925ADQ-T1-E3
SI6925ADQ-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥299.84157

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥299.84157

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SI4910DY-T1-GE3
SI4910DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥147.69722

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥147.69722

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SIB914DK-T1-GE3
SIB914DK-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-75-6L双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.77312

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.77312

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SI6928DQ-T1-E3
SI6928DQ-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.99712

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.99712

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