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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SI4913DY-T1-GE3
SI4913DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.05459

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.05459

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SI6943BDQ-T1-E3
SI6943BDQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,222.31180

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,222.31180

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SI4226DY-T1-GE3
SI4226DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.28732

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.28732

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SI4914BDY-T1-GE3
SI4914BDY-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A, 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.88172

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.88172

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SI6963BDQ-T1-E3
SI6963BDQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.99520

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.99520

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SIZ704DT-T1-GE3
SIZ704DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、16A 供应商设备包装: 6-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.54662

178

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.54662

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SI4561DY-T1-GE3
SI4561DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A, 7.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.27524

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.27524

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SI4947ADY-T1-GE3
SI4947ADY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.13766

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.13766

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SIS990DN-T1-GE3
SIS990DN-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.1A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.02561

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SI6969BDQ-T1-E3
SI6969BDQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2,000.38758

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,000.38758

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SI4952DY-T1-GE3
SI4952DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.82329

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.82329

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SI4953ADY-T1-GE3
SI4953ADY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥527.47144

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥527.47144

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SQS944ENW-T1_GE3
SQS944ENW-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8W双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.24290

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SI6981DQ-T1-E3
SI6981DQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.77888

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.77888

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SI4992EY-T1-GE3
SI4992EY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.27187

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.27187

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SQJB68EP-T1_GE3
SQJB68EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.46019

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.46019

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SI6983DQ-T1-E3
SI6983DQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.44666

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.44666

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SI5511DC-T1-GE3
SI5511DC-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.6A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.83394

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.83394

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SQ3985EV-T1_GE3
SQ3985EV-T1_GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

3

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.21489

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SI6993DQ-T1-E3
SI6993DQ-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.41289

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.41289

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