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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SI5904DC-T1-GE3
SI5904DC-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.32838

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.32837

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SI5920DC-T1-GE3
SI5920DC-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.33902

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.33902

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SI7214DN-T1-E3
SI7214DN-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.12270

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.12270

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SI4340CDY-T1-E3
SI4340CDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.1A,20A 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.77792

612

5-7 工作日

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合计: ¥9.77792

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SI5933CDC-T1-GE3
SI5933CDC-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.15743

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.15743

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SI7222DN-T1-E3
SI7222DN-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.53310

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.53310

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SIZ256DT-T1-GE3
SIZ256DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 70V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Ta),31.8A(Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.92277

436

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.92277

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SI5947DU-T1-GE3
SI5947DU-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PowerPAKChipFet Dual 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.38440

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.38440

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SI7501DN-T1-E3
SI7501DN-T1-E3
场效应管类型: N和P通道,公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A, 4.5A 供应商设备包装: PowerPAK1212-8双

¥6.75038

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.75038

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SQJ262EP-T1_GE3
SQJ262EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc)、40A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.28492

415

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.28492

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SI5980DU-T1-GE3
SI5980DU-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: PowerPAKChipFet Dual

¥5.62049

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.62049

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SI7530DP-T1-E3
SI7530DP-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A, 3.2A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双

¥16.83250

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.83250

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SI6544BDQ-T1-GE3
SI6544BDQ-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A, 3.8A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.03530

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.03530

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SI7540DP-T1-E3
SI7540DP-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A, 5.7A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.05506

9000

5-7 工作日

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合计: ¥6.05506

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SI6924AEDQ-T1-GE3
SI6924AEDQ-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 28伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.32502

9000

5-7 工作日

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合计: ¥17.32502

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SI7842DP-T1-E3
SI7842DP-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥564.81583

9000

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- +

合计: ¥564.81583

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SI6981DQ-T1-GE3
SI6981DQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.42066

9000

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合计: ¥29.42066

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SI7844DP-T1-E3
SI7844DP-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双

¥18.33902

9000

5-7 工作日

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合计: ¥18.33902

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SI6993DQ-T1-GE3
SI6993DQ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥348.84704

9000

5-7 工作日

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合计: ¥348.84704

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SI7872DP-T1-E3
SI7872DP-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.48964

9000

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合计: ¥6.48964

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