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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SI4916DY-T1-E3
SI4916DY-T1-E3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A、10.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,352.25136

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,352.25136

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SI4933DY-T1-E3
SI4933DY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.73542

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.73542

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SI5513CDC-T1-GE3
SI5513CDC-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.7A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

300

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.70789

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SIA923EDJ-T1-GE3
SIA923EDJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.85274

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SI4941EDY-T1-E3
SI4941EDY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.83778

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.83778

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SI9933CDY-T1-E3
SI9933CDY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

500

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.78031

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SIA929DJ-T1-GE3
SIA929DJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.85274

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SI4944DY-T1-E3
SI4944DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.75134

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.75134

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SQJ844AEP-T1_GE3
SQJ844AEP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.19848

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SI4947ADY-T1-E3
SI4947ADY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.19896

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.19896

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SI4953ADY-T1-E3
SI4953ADY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A 供应商设备包装: 8-SOIC

¥109.59956

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥109.59956

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SI5936DU-T1-GE3
SI5936DU-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: PowerPAKChipFet Dual 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.07003

375

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.07003

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SI4972DY-T1-E3
SI4972DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A、7.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.38582

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.38582

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SI4973DY-T1-E3
SI4973DY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.76487

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.76487

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SI4974DY-T1-E3
SI4974DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 4.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.82233

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.82233

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SI4992EY-T1-E3
SI4992EY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.70453

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.70453

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SIZ730DT-T1-GE3
SIZ730DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、35A 供应商设备包装: 6-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.01161

324

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.01161

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SI4936CDY-T1-E3
SI4936CDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.91213

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥4,780.31500

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SI5504DC-T1-E3
SI5504DC-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、2.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.98216

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.98216

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SI1539DL-T1-GE3
SI1539DL-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 540毫安, 420毫安 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.12701

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.12701

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